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 1200V 4H-SiC trench MOSFET with superior figure of merit and suppressed quasi-saturation effect 1200 V 4 H-SiC沟槽MOSFET，具有优异的品质因数和抑制的准饱和效应
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Hao Fu; Zhaoxiang Wei; Siyang Liu; Jiaxing Wei; Hang Xu; et al 出版日期：2021-07-06 |
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