Study of Vertical Ga 2 O 3 FinFET Short Circuit Ruggedness using Robust TCAD Simulation

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标题	Study of Vertical Ga 2 O 3 FinFET Short Circuit Ruggedness using Robust TCAD Simulation
网址	https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac9e73
DOI	10.1149/2162-8777/ac9e73 doi
其它	期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Albert Lu; Adam Elwailly; Yuhao Zhang; Hiu Yung Wong 出版日期：2022-11-01
求助人	Mercury 在 2026-10-07 16:18:53 发布自广东，悬赏 10 积分
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