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 Strain, stress, and mechanical relaxation in fin-patterned Si/SiGe multilayers for sub-7 nm nanosheet gate-all-around device technology 用于亚7 nm纳米片栅极全能器件技术的鳍状图案化Si/SiGe多层中的应变、应力和机械弛豫
相关领域
材料科学
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光电子学
绝缘体（电）
应变工程
半导体
硅
应变硅
应力松弛
基质（水族馆）
晶体管
纳米技术
复合材料
电气工程
晶体硅
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期刊：Applied Physics Letters 作者：S. Reboh; R. Coquand; Sylvain Barraud; N. Loubet; Nicolas Bernier; et al 出版日期：2018-01-29 |
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