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 Perforated Turbostratic Graphene As Active Layer in a Nonvolatile Resistive Switching Memory Device 相关领域
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期刊：ACS applied electronic materials 作者：Nabamita Chakraborty; Joy Ghosh; Saswata Goswami; Avinash Shaw; Biswajit Das; et al 出版日期：2023-04-12 |
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