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Heterointegrated Ga 2 O 3 -on-SiC RF MOSFETs With f T / f max of 47/51 GHz by Ion-Cutting Process |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Xinxin Yu; Wenhui Xu; Yibo Wang; Bing Qiao; Rui Shen; et al 出版日期:2023-10-24 |
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(2025-6-4)