| 标题 |
Single-Event Hardened P-GaN Gate HEMT With Schottky Source Structure |
| 网址 | |
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10.1109/ted.2026.3670349
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Ziang Wang; Xuan Xie; Zhi Wang; Minze Wang; Chenyue Chu; et al 出版日期:2026-06-01 |
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(2025-6-4)