Improved Device Performance in AlGaN/GaN HEMT by Forming Ohmic Contact With Laser Annealing

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标题	Improved Device Performance in AlGaN/GaN HEMT by Forming Ohmic Contact With Laser Annealing
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/55/8419092/08374967.pdf?...
DOI	10.1109/led.2018.2844951 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Mingchen Hou; Gang Xie; Kuang Sheng 出版日期：2018-06-08
求助人	阿赵在 2026-07-18 12:11:39 发布自山东，悬赏 10 积分
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