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A SiGe/Si Phototransistor With High FOM of Gain*VA Using 0.35-μm BiCMOS Technology |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Hongyun Xie; Yang Xiang; Yin Sha; Ruilang Ji; Furong Zhu; et al 出版日期:2022-09-02 |
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(2025-6-4)