Enhancing Charge Transport and Fast Non‐Volatile Memory in 2D Tin‐Based Perovskite Transistors through Porphyrin‐like Additives

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标题	Enhancing Charge Transport and Fast Non‐Volatile Memory in 2D Tin‐Based Perovskite Transistors through Porphyrin‐like Additives
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202510256
DOI	10.1002/adfm.202510256 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：C. F. Nieh; Yi‐Hsiu Kao; Yi‐Hsuan Sun; Ming‐Hsuan Yu; I‐Hsiang Chao; et al 出版日期：2025-07-28
求助人	荷包蛋在 2026-09-18 12:46:34 发布自山东，悬赏 10 积分
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