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 Surface and Electrical Properties of Inductively-coupled Plasma-etched N-face n-GaN and a Method of Reducing the Ohmic Contact Resistance of Plasma-damaged N-face n-GaN 相关领域
材料科学
感应耦合等离子体
等离子体
面子（社会学概念）
光电子学
曲面（拓扑）
物理
量子力学
社会科学
几何学
数学
社会学
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10.3938/jkps.55.1140
doi
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期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：T. Jeong; H. Lee; Kang-Ho Kim; S. Jeon; Seung-jae Lee; et al 出版日期：2009-09-15 |
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