SiO2‐GaN Interface Improvement by Wet Cleaning and In Situ Annealing for GaN MOS Transistors

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标题	SiO2‐GaN Interface Improvement by Wet Cleaning and In Situ Annealing for GaN MOS Transistors
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/pssa.2024000...
DOI	10.1002/pssa.202400065 doi
其它	期刊：physica status solidi (a) 作者：Mirjam Henn; Johannes Ziegler; Christian Huber; Humberto Rodriguez‐Alvarez; Nando Kaminski 出版日期：2024-07-02
求助人	温柔的沛蓝在 2026-09-10 17:23:27 发布自江苏，悬赏 10 积分
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