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Investigation of defect states in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by small-signal admittance analysis |
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Narendra Rai; Ritam Sarkar; Ashutosh Mahajan; Apurba Laha; Dipankar Saha; et al 出版日期:2024-10-22 |
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(2025-6-4)