Interface contact engineering in In2Se3/TaSe2-based ferroelectric tunnel junctions for bipolar information storage

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标题	Interface contact engineering in In2Se3/TaSe2-based ferroelectric tunnel junctions for bipolar information storage
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.cjph.2026.06.009
DOI	10.1016/j.cjph.2026.06.009 doi
其它	期刊：Chinese Journal of Physics 作者：Mengjie He; Peize Yuan; Ying Wang; Lin Li; Zinan Ma; et al 出版日期：2026-10-01
求助人	陈大浩浩在 2026-07-01 15:57:55 发布自河南，悬赏 10 积分
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