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 Measurement and Parameterization of Carrier Mobility Sum in Silicon as a Function of Doping, Temperature and Injection Level 硅中载流子迁移率和随掺杂、温度和注入水平变化的测量和参数化
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期刊：IEEE Journal of Photovoltaics 作者：Peiting Zheng; Fiacre Rougieux; Daniel Macdonald; Andrés Cuevas 出版日期：2014-03-01 |
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