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标题
Two-dimensional analytical models for the symmetrical triple-material double-gate strained Si MOSFETs
相关领域
材料科学 MOSFET 排水诱导屏障降低 阈值电压 电场 反向短通道效应 栅氧化层 场效应晶体管 光电子学 晶体管 电压 双闸门 短通道效应 金属浇口 信道长度调制 负偏压温度不稳定性 电气工程 物理 工程类 量子力学
网址
https://doi.org/10.7498/aps.63.148502
DOI
10.7498/aps.63.148502 doi
其它 期刊：Acta Physica Sinica
作者：Yanhui Xin; Hongxia Liu; Shulong Wang; Fan Xiao-Jiao
出版日期：2014-01-01
求助人
舟舟 在 2025-10-13 17:20:18 发布自吉林，悬赏 10 积分
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