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 Research on the epitaxial growth of Power/RF HEMT structures on n-GaN and Fe-doped SI-GaN Free-Standing Substrates by MOCVD MOCVD法在n-GaN和Fe掺杂SI-GaN独立衬底上外延生长功率/射频HEMT结构的研究
相关领域
高电子迁移率晶体管
金属有机气相外延
光电子学
外延
材料科学
兴奋剂
氮化镓
纳米技术
晶体管
电气工程
图层（电子）
电压
工程类
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期刊：Vacuum 作者：Xiao Wang; Yumin Zhang; Mengyi Wang; Jianfeng Wang; Ke Xu 出版日期：2025-02-01 |
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