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 High-Density Wafer Level Connectivity Using Frontside Hybrid Bonding at 250nm Pitch and Backside Through-Dielectric Vias at 120nm Pitch After Extreme Wafer Thinning 在极端晶圆减薄后，使用250nm间距的正面混合键合和120nm间距的背面介质通孔实现高密度晶圆级连接
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| 其它 |
期刊：2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：L. Witters; S. Van Huylenbroeck; S. Kang; P. Zhao; S-A. Chew; et al 出版日期：2025 |
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(2025-6-4)
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