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标题
Surface potential-based analytical model for InGaZnO thin-film transistors with independent dual-gates*
独立双栅InGaZnO薄膜晶体管的表面电位解析模型
相关领域
薄膜晶体管 材料科学 香料 逆变器 光电子学 晶体管 阈值电压 朗伯W函数 电压 电子工程 图层（电子） 电气工程 纳米技术 数学 数学分析 工程类
网址
https://doi.org/10.1088/1674-1056/ab75d2
DOI
10.1088/1674-1056/ab75d2 doi
其它 期刊：Chinese Physics B
作者：Yini He; Lian-Wen Deng; Ting Qin; Congwei Liao; Heng Luo; et al
出版日期：2020-02-13
求助人
evens 在 2025-08-27 15:42:59 发布自湖南，悬赏 10 积分
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