| 标题 |
 Asymmetry of MTJ switching and its implication to STT-RAM designs 相关领域
磁阻随机存取存储器
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| DOI |
10.5555/2492708.2493031
doi
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| 其它 |
期刊：Design, Automation, and Test in Europe 作者：Yaojun Zhang; Xiaobin Wang; Yong Li; Alex K. Jones; Yiran Chen 出版日期：2012-03-12 |
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