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 Annealing Process on Metal–Oxide–Semiconductor Channel Properties for Quasivertical GaN‐on‐Sapphire Trench Metal–Oxide–Semiconductor Field‐Effect Transistor 相关领域
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期刊：physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 作者：Jiaan Zhou; Yang An; Guohao Yu; Runxian Xing; Bohan Guo; et al 出版日期：2024-06-01 |
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