| 标题 |
 A Double-Layer Ag/ZnS:Ag/ZnS/ITO Memristor Device for Artificial Synapse 用于人工突触的双层Ag/ZnS：Ag/ZnS/ITO忆阻器件
相关领域
记忆电阻器
图层（电子）
材料科学
突触
纳米技术
光电子学
神经形态工程学
计算机科学
人工神经网络
电气工程
人工智能
工程类
神经科学
生物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Alloys and Compounds 作者：Yuwei Cao; Lingyan Xu; Aoqiu Wang; Wanqi Jie 出版日期：2025-05-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
秋风
无极微光
DW
Dean
aaaa
xing_xing
愉快的真
蓝天
Lifeismovie
谢雷XIELei
lalala
YY
Criminology34
DOC_XIONG
学术文献互助
guangzhui
神勇映雁
aajhajkahna
嘻嘻哈哈
朴素代丝
皖公网安备34019202002308
