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  Wafer-scale single-crystalline β-Ga2O3 thin film on SiC substrate by ion-cutting technique with hydrophilic wafer bonding at elevated temperatures 高温亲水性键合离子切割技术在SiC衬底上制备单晶β-Ga2O3薄膜
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期刊：Science China. Materials 作者：Zhongshan Shen; Wenhui Xu; Yang Chen; Jiajie Lin; Yuhuan Xie; et al 出版日期：2022-09-30 |
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