Low thermal boundary resistance and reduced junction temperature in GaN HEMTs via AlN-mediated top-side diamond integration

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标题	Low thermal boundary resistance and reduced junction temperature in GaN HEMTs via AlN-mediated top-side diamond integration
网址	http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ae5ccc
DOI	10.1088/1361-6641/ae5ccc doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Kexin Deng; Xinhua Wang; Junjun Wei; Guanjun Jing; Han Li; et al 出版日期：2026-04-01
求助人	tonyguo 在 2026-09-20 11:04:39 发布自浙江，悬赏 10 积分
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