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标题
Hybrid p-n Junction/Ohmic Gate p-GaN HEMT With Enhanced Threshold Voltage Stability and Large Gate Swing
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DOI
10.1109/LED.2026.3696037 doi
求助人
单薄海亦 在 2026-08-29 13:16:32 发布自河南,悬赏 10 积分
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