Study of selective dry etching Si0.7Ge0.3 with different plasma source in process of gate-all-around FET

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标题	Study of selective dry etching Si0.7Ge0.3 with different plasma source in process of gate-all-around FET
网址	http://dx.doi.org/10.1117/12.3010332
DOI	10.1117/12.3010332 doi
其它	期刊：Advanced Etch Technology and Process Integration for Nanopatterning XIII 作者：Enxu Liu; Chaoran Yang; Junjie Li; Na Zhou; Longrui Xia; et al 出版日期：2024-04-09
求助人	科研小白在 2026-07-10 10:53:31 发布自河南，悬赏 20 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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