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 Low-Power, Self-Rectifying, and Forming-Free Memristor with an Asymmetric Programing Voltage for a High-Density Crossbar Application 低功耗、自整流和无成形忆阻器，具有不对称编程电压，适用于高密度交叉开关应用
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期刊：Nano Letters 作者：Kyung Min Kim; Jiaming Zhang; Catherine E. Graves; J. Joshua Yang; Byung Joon Choi; et al 出版日期：2016-09-23 |
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