| 标题 |
 Band gap and gate dielectric engineered novel Si0.9Ge0.1/InAs junctionless TFET for RFIC applications 用于RFIC应用的带隙和栅极电介质工程新型Si0.9Ge 0.1/InAs无结TFET
相关领域
RFIC公司
材料科学
光电子学
电介质
电气工程
工程物理
纳米技术
工程类
CMOS芯片
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Engineering Research Express 作者：Kaushal Kumar; Ajay Kumar; Vinay Kumar; Aditya Jain; S. C. Sharma 出版日期：2024-08-06 |
| 求助人 |
Suji
在
2025-08-29 15:31:26 发布，悬赏 10 积分
|
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
不想干活
小青椒
期待未来的自己
Billy
执着谷兰
花楹
Meyako
pluto
linkman
COSMAO
8R60d8
热心市民小红花
七月流火
Maestro_S
圆锥香蕉
子车茗
iNk
飲啖茶食個包
不配.
null
皖公网安备34019202002308
