Resistive switching behaviors and conduction mechanisms of IGZO/ZnO bilayer heterostructure memristors

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标题	Resistive switching behaviors and conduction mechanisms of IGZO/ZnO bilayer heterostructure memristors IGZO/ZnO双层异质结构忆阻器的电阻开关行为和导电机制相关领域材料科学记忆电阻器异质结双层电阻随机存取存储器热传导光电子学电阻式触摸屏纳米技术凝聚态物理电压电子工程电气工程复合材料膜工程类物理生物遗传学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0237063 AI链接 doi.orgdoi.org
DOI	10.1063/5.0237063 doi
其它	期刊：APL Materials 作者：Xiongfeng Wang; Zhenyi Guo; Weiying Zheng; Zhi‐Quan Liu; Tengzhang Liu; et al 出版日期：2024-11-01
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