| 标题 |
 Origin of ferroelectricity and anti-ferroelectricity via doping and oxygen vacancy effects in lanthanum-doped hafnium zirconium oxide thin films 相关领域
铁电性
材料科学
四方晶系
正交晶系
掺杂剂
兴奋剂
单斜晶系
薄膜
锆
氧气
相（物质）
极化（电化学）
铪
凝聚态物理
空位缺陷
氧化物
反铁电性
铁电陶瓷
分析化学（期刊）
无机化学
哈夫尼亚
镧
结晶学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：J. Li; Feng Wang; Hsiao-Hsuan Hsu; Tian-Tong Cheng; Yu-Xi Yang; et al 出版日期：2026-01-05 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
DW
无极微光
秋风
Nole
李杰杰
Criminology34
xing_xing
Enigma_GEB
cdercder
昏睡的蟠桃
aaaa
修仙中
舒服的楷瑞
Lo
我能私信骂你吗
学术文献互助
DOC_XIONG
刘泽楷
罗Eason
科研狗
皖公网安备34019202002308
