| 标题 |
Quasi‐Dual‐Channel Oxide Transistors With Enhanced Stability and Performance 相关领域
材料科学
阈值电压
光电子学
氧化物
晶体管
薄膜晶体管
压力(语言学)
图层(电子)
氧化锡
频道(广播)
偏压
氧气
电压
活动层
电子迁移率
纳米技术
金属
溶解过程
热载流子注入
锡
绝缘体(电)
MOSFET
栅氧化层
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Small 作者:Sheng‐Xin Lin; Yu‐Yu Hong; Jun‐He Shen; Tie‐Jun Li; Qiu‐Song Chen; Dong Lin 出版日期:2026-01-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)