Pushing the limits of non-radiative recombination suppression in GaAs/GaInP light-emitting diodes by doping profile engineering

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标题	Pushing the limits of non-radiative recombination suppression in GaAs/GaInP light-emitting diodes by doping profile engineering
网址	https://doi.org/10.1063/5.0206166
DOI	10.1063/5.0206166 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Seyed Ahmad Shahahmadi; Pyry Kivisaari; Benoît Behaghel; Ivan Radevici; Sami Suihkonen; Jani Oksanen 出版日期：2024
求助人	zz 在 2026-05-12 17:06:06 发布自陕西，悬赏 10 积分
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