Sub- μ m features patterned with laser interference lithography for the epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 via mist chemical vapor deposition

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标题	Sub- μ m features patterned with laser interference lithography for the epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 via mist chemical vapor deposition
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0057704
DOI	10.1063/5.0057704 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：G. T. Dang; T. Yasuoka; T. Kawaharamura 出版日期：2021-07-26
求助人	zht 在 2026-10-22 14:45:23 发布自福建，悬赏 10 积分
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