| 标题 |
 Structural investigation of ultra-low resistance deeply recessed sidewall ohmic contacts for AlGaN/GaN HEMTs based on Ti/Al/Ti-metallization |
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Ding-Yuan Chen; Axel R. Persson; Vanya Darakchieva; Per O. Å. Persson; Jr‐Tai Chen; et al 出版日期：2023-08-24 |
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