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标题
Analysis of surface morphology at leakage current sources on large-area GaN-based p-i-n diodes
大面积GaN基p-i-n二极管漏电流源表面形貌分析
相关领域
泄漏（经济） 二极管 扫描电子显微镜 光电子学 材料科学 反向漏电流 肖特基二极管 复合材料 宏观经济学 经济
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/acef4f
DOI
10.1088/1361-6641/acef4f doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Qian Yang; Jing Yang; Zongshun Liu; Lihong Duan; Degang Zhao
出版日期：2023-08-11
求助人
拒绝贪玩。 在 2025-12-04 13:46:38 发布自福建，悬赏 10 积分
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