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标题
Over 10 kA/cm2 inductive current sustaining capability demonstrated in GaN-on-GaN pn junction with high ruggedness
在GaN-on-GaN pn结中证明了超过10 kA/cm2的感应电流维持能力，具有高耐用性
相关领域
材料科学 光电子学 电流（流体） GSM演进的增强数据速率 兴奋剂 功率（物理） 电场 功率半导体器件 功勋 MOSFET 电气工程 电压 计算机科学 晶体管 工程类 物理 电信 量子力学
网址
https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207367
DOI
10.1016/j.micrna.2022.207367 doi
其它 期刊：Micro and Nanostructures
作者：Yu Bai; Weizong Xu; Feng Zhou; Yiwang Wang; Lijian Guo; et al
出版日期：2022-08-26
求助人
Masanao 在 2025-12-04 14:15:38 发布自北京，悬赏 10 积分
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