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 AlN/Al0.5Ga0.5N HEMTs with heavily Si-doped degenerate GaN contacts prepared via pulsed sputtering 脉冲溅射制备具有重掺Si简并GaN触点的AlN/Al0.5Ga0.5N HEMT
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期刊：Applied Physics Express 作者：Ryota Maeda; Kohei Ueno; Atsushi Kobayashi; Hiroshi Fujioka; Ryota Maeda; et al 出版日期：2022-01-28 |
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