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 A trapping mechanism for autodoping in silicon epitaxy—II. Parameter extraction and simulations 硅外延中自掺杂的俘获机制-II。参数提取与仿真
相关领域
掺杂剂
硅
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Man Wong; R. Reif; G. R. Srinivasan 出版日期：1985-02-01 |
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