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 The influence of electron-beam irradiation on electrical characteristics of metal–insulator–semiconductor capacitors based on a high-k dielectric stack of HfTiSiO(N) and HfTiO(N) layers 电子束辐照对基于HfTiSiO(N)和HfTiO(N)层的高k电介质堆叠的金属-绝缘体-半导体电容器电特性的影响
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：P. Thangadurai; W.D. Kaplan; V. Mikhelashvili; G. Eisenstein 出版日期：2009-05-13 |
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