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标题
High-pressure CVD Growth of InN and Indium-rich Group III-nitride Compound Semiconductors for Novel Mid- and Far-infrared Detectors and Emitters
用于新型中、远红外探测器和发射器的InN和富铟III族氮化物半导体的高压CVD生长
相关领域
氮化铟 化合物半导体 铟 氮化物 光电子学 远红外 半导体 材料科学 探测器 红外线的 群（周期表） 纳米技术 化学 物理 光学 外延 有机化学 图层（电子）
网址
http://dx.doi.org/10.21236/ada563163
DOI
10.21236/ada563163 doi
求助人
研友_nV21Vn 在 2025-05-02 10:48:22 发布自江苏，悬赏 10 积分
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