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 16-layer 3D Vertical RRAM with Low Read Latency (18ns), High Nonlinearity (>5000) and Ultra-low Leakage Current (~pA) Self-Selective Cells 相关领域
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期刊：2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Yaxin Ding; Jianguo Yang; Yu Liu; Jianfeng Gao; Yuan Wang; et al 出版日期：2023-07-25 |
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