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  Novel STI technology for enhancing reliability of High-k/Metal gate DRAM (June 2024) 增强高k/金属栅极DRAM可靠性的新型STI技术（2024年6月）
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期刊：IEEE Access 作者：Hyojin Park; Gyu-Hyun Kil; Wonju Sung; Jung-Hoon Han; Jungwoo Song; et al 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 |
ywwsnowboy
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