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A High Switching Ratio Ti3C2:V2O5Based Memristor for Artificial Synapse and Simulation of Human Body Water Dynamics 用于人工突触的高开关比Ti3C2:V2O5基忆阻器及人体水动力学模拟
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期刊: 作者: 出版日期:2025-11-03 |
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(2025-6-4)