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Bit-Cost-Scalable 3D DRAM Architecture and Unit Cell First Demonstrated with Integrated Gate-Around and Channel-Around IGZO FETs
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https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631...
DOI
10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631386 doi
其它 期刊：
作者：Feng-Min Lee; Po-Hao Tseng; Yu‐Yu Lin; Yu‐Hsuan Lin; Wei-Lun Weng; et al
出版日期：2024-06-16
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lnzdf 在 2026-01-22 13:36:16 发布自上海，悬赏 10 积分
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  • 1小时前

    lnzdf lnzdf Lv14 求助人 发起了本次求助

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