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 Use of double-channel heterostructures to improve the access resistance and linearity in GaN-based HEMTs 利用双沟道异质结构提高GaN基HEMT的存取电阻和线性度
相关领域
线性
跨导
晶体管
材料科学
异质结
光电子学
氮化镓
高电子迁移率晶体管
截止频率
频道（广播）
电气工程
工程类
电压
纳米技术
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Tomás Palacios; Alessandro Chini; D. Buttari; S. Heikman; A. Chakraborty; et al 出版日期：2006-02-21 |
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