High-speed, high-quality crystal growth of 4H-SiC by high-temperature gas source method

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标题	High-speed, high-quality crystal growth of 4H-SiC by high-temperature gas source method
网址	http://stacks.iop.org/1882-0786/7/i=6/a=065502/pdf
DOI	10.7567/apex.7.065502 doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Norihiro Hoshino; Isaho Kamata; Yuichiro Tokuda; Emi Makino; Naohiro Sugiyama; et al 出版日期：2014-05-02
求助人	shun 在 2026-02-02 19:27:33 发布自中国香港，悬赏 10 积分
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