| 标题 |
Effect of different separation frequencies of the two-tone input signal on the output power of GaN on SiC HEMT 双音输入信号不同分离频率对SiC HEMT上GaN输出功率的影响
相关领域
互调
高电子迁移率晶体管
材料科学
信号(编程语言)
光电子学
功勋
声学
电气工程
物理
晶体管
计算机科学
工程类
电压
放大器
CMOS芯片
程序设计语言
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Micro and Nanostructures 作者:Mohammad A. Alim; Mayahsa M. Ali; Christophe Gaquière 出版日期:2023-03-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|