Effect of different separation frequencies of the two-tone input signal on the output power of GaN on SiC HEMT

互调 高电子迁移率晶体管 材料科学 信号(编程语言) 光电子学 功勋 声学 电气工程 物理 晶体管 计算机科学 工程类 电压 放大器 CMOS芯片 程序设计语言
作者
Mohammad A. Alim,Mayahsa M. Ali,Christophe Gaquière
出处
期刊:Micro and nanostructures [Elsevier BV]
卷期号:177: 207547-207547 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.micrna.2023.207547
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