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 Linearity Enhancement of AlGaN/GaN HEMTs With Selective-Area Charge Implantation 选择性区域电荷注入增强AlGaN/GaN HEMT的线性度
相关领域
线性
跨导
光电子学
高电子迁移率晶体管
材料科学
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晶体管
电气工程
击穿电压
氮化镓
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工程类
纳米技术
图层（电子）
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Fang Zhang; Xuefeng Zheng; Hao Zhang; Minhan Mi; Yunlong He; et al 出版日期：2022-09-20 |
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