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标题
Back-End-of-Line Compatible 2T1C Memory Cell With InGaZnO Thin-Film Transistors and Hf₀.₅Zr₀.₅O₂-Based Ferroelectric Capacitors
具有InGaZnO薄膜晶体管和Hf₀.₅Zr₀.₅O₂基铁电电容器的后端兼容2T1C存储单元
相关领域
电容器 材料科学 铁电性 光电子学 晶体管 生产线后端 薄膜晶体管 铁电电容器 电气工程 直线（几何图形） 薄膜电容器 电压 工程类 复合材料 电介质 几何学 数学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2025.3529400
DOI
10.1109/ted.2025.3529400 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Yize Sun; Shucheng Zhang; Qi Liu; Yu Li; Haoyu Lu; et al
出版日期：2025-01-22
求助人
无限萤 在 2025-12-11 07:31:48 发布自山东，悬赏 10 积分
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  • 21小时前

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