Ultrahigh field-effect mobility of 147.5 cm2/Vs in ultrathin In2O3 transistors via passivating the surface of polycrystalline HfO2 gate dielectrics

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标题	Ultrahigh field-effect mobility of 147.5 cm2/Vs in ultrathin In2O3 transistors via passivating the surface of polycrystalline HfO2 gate dielectrics 通过钝化多晶HfO2栅介质表面在超薄In2O3晶体管中获得147.5 cm2/Vs的超高场效应迁移率
网址	https://doi.org/10.1063/5.0240110
DOI	10.1063/5.0240110 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Taikyu Kim; Seung Ho Ryu; Jihoon Jeon; Taeseok Kim; In-Hwan Baek; Seong Keun Kim 出版日期：2025
求助人	伶俐的玫瑰在 2025-02-17 09:50:28 发布自陕西，悬赏 10 积分
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